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IRG8CH10K10F

IRG8CH10K10F

僅供參考

型號 IRG8CH10K10F
PNEDA編號 IRG8CH10K10F
描述 IGBT 1200V 5A DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,778
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 7 - 十二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG8CH10K10F資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG8CH10K10F
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IRG8CH10K10F, IRG8CH10K10F數據表 (總頁數: 4, 大小: 196.05 KB)
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IRG8CH10K10F規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 5A
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用30nC
25°C時的Td(開/關)20ns/160ns
測試條件600V, 5A, 47Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 4A

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

15.2nC

25°C時的Td(開/關)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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輸入類型

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測試條件

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安裝類型

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輸入類型

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53nC

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.95V @ 15V, 1.5A

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

12nC

25°C時的Td(開/關)

11ns/60ns

測試條件

400V, 1.5A, 100Ohm, 15V

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