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IRG8CH20K10D

IRG8CH20K10D

僅供參考

型號 IRG8CH20K10D
PNEDA編號 IRG8CH20K10D
描述 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,082
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG8CH20K10D資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG8CH20K10D
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG8CH20K10D規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

當前-集電極(Ic)(最大值)

41A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.25V @ 4V, 6A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

21nC

25°C時的Td(開/關)

800ns/5.1µs

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

78A

電流-集電極脈沖(Icm)

130A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 26A

功率-最大

337W

開關能量

409µJ (on), 258µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

128nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/84ns

測試條件

400V, 26A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

400A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.35V @ 15V, 60A

功率-最大

540W

開關能量

1.38mJ (on), 3.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

230nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/320ns

測試條件

480V, 50A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

96A

電流-集電極脈沖(Icm)

140A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 35A

功率-最大

543W

開關能量

750µJ (on), 680µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

150nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/94ns

測試條件

600V, 35A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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