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IRGB10B60KDPBF

IRGB10B60KDPBF

僅供參考

型號 IRGB10B60KDPBF
PNEDA編號 IRGB10B60KDPBF
描述 IGBT 600V 22A 156W TO220AB
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,070
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 24 - 四月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRGB10B60KDPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRGB10B60KDPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRGB10B60KDPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)22A
電流-集電極脈沖(Icm)44A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 15V, 10A
功率-最大156W
開關能量140µJ (on), 250µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用38nC
25°C時的Td(開/關)30ns/230ns
測試條件400V, 10A, 47Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)90ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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600V

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75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 50A

功率-最大

300W

開關能量

3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/110ns

測試條件

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

STMicroelectronics

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 20A

功率-最大

52W

開關能量

200µJ (on), 130µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

116nC

25°C時的Td(開/關)

38ns/149ns

測試條件

400V, 20A, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3 Full Pack

供應商設備包裝

TO-3PF

制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

500A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 100A

功率-最大

300W

開關能量

1.7mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

370nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/120ns

測試條件

400V, 80A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

ISOPLUS247™

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IXYS

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

400A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 60A

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1.38mJ (on), 1.05mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

230nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/150ns

測試條件

480V, 50A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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