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IRGR2B60KDPBF

IRGR2B60KDPBF

僅供參考

型號 IRGR2B60KDPBF
PNEDA編號 IRGR2B60KDPBF
描述 IGBT 600V 6.3A 35W DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRGR2B60KDPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRGR2B60KDPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRGR2B60KDPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)6.3A
電流-集電極脈沖(Icm)8A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.25V @ 15V, 2A
功率-最大35W
開關能量74µJ (on), 39µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用12nC
25°C時的Td(開/關)11ns/150ns
測試條件400V, 2A, 100Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)68ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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電流-集電極脈沖(Icm)

14A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

7V @ 15V, 3A

功率-最大

75W

開關能量

590µJ (on), 180µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

18.5nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/220ns

測試條件

850V, 6A, 33Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

IXYS

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XPT™

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

108A

電流-集電極脈沖(Icm)

255A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 30A

功率-最大

937W

開關能量

5.9mJ (on), 3.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

28ns/150ns

測試條件

850V, 30A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

160ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

106A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 50A

功率-最大

694W

開關能量

3585µJ (on), 1910µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

240nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/215ns

測試條件

800V, 50A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.75V @ 5V, 14A

功率-最大

125W

開關能量

-

輸入類型

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門禁費用

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