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IRGR2B60KDTRPBF

IRGR2B60KDTRPBF

僅供參考

型號 IRGR2B60KDTRPBF
PNEDA編號 IRGR2B60KDTRPBF
描述 IGBT 600V 6.3A 35W DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,790
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRGR2B60KDTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRGR2B60KDTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRGR2B60KDTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)6.3A
電流-集電極脈沖(Icm)8A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.25V @ 15V, 2A
功率-最大35W
開關能量74µJ (on), 39µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用12nC
25°C時的Td(開/關)11ns/150ns
測試條件400V, 2A, 100Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)68ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

75A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 25A

功率-最大

310W

開關能量

4.8mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/170ns

測試條件

600V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

350ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

TO-3P

制造商

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

310A

電流-集電極脈沖(Icm)

860A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 160A

功率-最大

940W

開關能量

3.3mJ (on), 1.88mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

425nC

25°C時的Td(開/關)

52ns/220ns

測試條件

400V, 80A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65A

電流-集電極脈沖(Icm)

72A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 24A

功率-最大

250W

開關能量

100µJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

75nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/105ns

測試條件

400V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 50A

功率-最大

-

開關能量

600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

135nC

25°C時的Td(開/關)

70ns/144ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

376ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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