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IRGR3B60KD2PBF

IRGR3B60KD2PBF

僅供參考

型號 IRGR3B60KD2PBF
PNEDA編號 IRGR3B60KD2PBF
描述 IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,706
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRGR3B60KD2PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRGR3B60KD2PBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRGR3B60KD2PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)7.8A
電流-集電極脈沖(Icm)15.6A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 3A
功率-最大52W
開關能量62µJ (on), 39µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用13nC
25°C時的Td(開/關)18ns/110ns
測試條件400V, 3A, 100Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)77ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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功率-最大

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開關能量

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輸入類型

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門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電流-集電極脈沖(Icm)

25A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 3A

功率-最大

30W

開關能量

57µJ (on), 25µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/60ns

測試條件

300V, 3A, 80Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

245A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 100A

功率-最大

960W

開關能量

11mJ (on), 9.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

540nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/615ns

測試條件

800V, 100A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3 Variant

供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電流-集電極脈沖(Icm)

24A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 8A

功率-最大

156W

開關能量

300µJ (on), 285µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

65nC

25°C時的Td(開/關)

7ns/100ns

測試條件

800V, 8A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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100A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 50A

功率-最大

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600µJ (off)

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門禁費用

135nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

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工作溫度

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