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IRGS30B60KPBF

IRGS30B60KPBF

僅供參考

型號 IRGS30B60KPBF
PNEDA編號 IRGS30B60KPBF
描述 IGBT 600V 78A 370W D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,364
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRGS30B60KPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRGS30B60KPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRGS30B60KPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)78A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.35V @ 15V, 30A
功率-最大370W
開關能量350µJ (on), 825µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用102nC
25°C時的Td(開/關)46ns/185ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 50A

功率-最大

500W

開關能量

1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

28ns/160ns

測試條件

400V, 50A, 3.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

11A

電流-集電極脈沖(Icm)

22A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.3V @ 15V, 5A

功率-最大

60W

開關能量

450µJ (on), 440µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

28nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/93ns

測試條件

960V, 5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電流-集電極脈沖(Icm)

15A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 5A

功率-最大

35W

開關能量

88µJ (on), 107µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

16nC

25°C時的Td(開/關)

13ns/34ns

測試條件

300V, 5A, 40Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

55ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

170A

電流-集電極脈沖(Icm)

600A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 100A

功率-最大

830W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

425nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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