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IRL1004LPBF

IRL1004LPBF

僅供參考

型號 IRL1004LPBF
PNEDA編號 IRL1004LPBF
描述 MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL1004LPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL1004LPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRL1004LPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)130A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.5mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs100nC @ 4.5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5330pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 200W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-262
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

710pF @ 25V

FET功能

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

870mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22.5mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2390pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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