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IRL1104STRR

IRL1104STRR

僅供參考

型號 IRL1104STRR
PNEDA編號 IRL1104STRR
描述 MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,898
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL1104STRR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL1104STRR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRL1104STRR, IRL1104STRR數據表 (總頁數: 11, 大小: 197.79 KB)
PDFIRL1104STRR數據表 封面
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IRL1104STRR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)104A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs68nC @ 4.5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3445pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.4W (Ta), 167W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 155µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

117nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8110pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

214W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-TO263-7

包裝/箱

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

制造商

IXYS

系列

HiPerFET™, TrenchT2™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

890W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247AD (IXFH)

包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

Sawn on foil

包裝/箱

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

SiCFET (Silicon Carbide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

117mOhm @ 10A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4.4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

106nC @ 18V

Vgs(最大)

+22V, -6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1850pF @ 800V

FET功能

-

功耗(最大值)

262W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

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