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IRL3302PBF

IRL3302PBF

僅供參考

型號 IRL3302PBF
PNEDA編號 IRL3302PBF
描述 MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL3302PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL3302PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IRL3302PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)39A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 7V
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 23A, 7V
Vgs(th)(最大)@ ID700mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs31nC @ 4.5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1300pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)57W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.1mOhm @ 27.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4040pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 77W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

8-DFN (5x6)

包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

88mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

265nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

890W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.9mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

345nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1390W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 10.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4310pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21.5nC @ 10V

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FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

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