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IRL3716STRLPBF

IRL3716STRLPBF

僅供參考

型號 IRL3716STRLPBF
PNEDA編號 IRL3716STRLPBF
描述 MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,258
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL3716STRLPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL3716STRLPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRL3716STRLPBF, IRL3716STRLPBF數據表 (總頁數: 12, 大小: 281.95 KB)
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IRL3716STRLPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)180A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs79nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5090pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)210W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

69mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2670pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

160W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

220A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

162nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

285nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

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