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IRL40B215

IRL40B215

僅供參考

型號 IRL40B215
PNEDA編號 IRL40B215
描述 MOSFET N-CH 40V 120A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,874
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 7 - 十二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL40B215資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL40B215
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRL40B215, IRL40B215數據表 (總頁數: 10, 大小: 542.58 KB)
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IRL40B215規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®, StrongIRFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.7mOhm @ 98A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs84nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5225pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)143W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4440pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

157W (Tc)

工作溫度

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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7.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2737pF @ 35V

FET功能

-

功耗(最大值)

900mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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*

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

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Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

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