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IRL640STRRPBF

IRL640STRRPBF

僅供參考

型號 IRL640STRRPBF
PNEDA編號 IRL640STRRPBF
描述 MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,300
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL640STRRPBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL640STRRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IRL640STRRPBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs180mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs66nC @ 5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 300µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta), 57W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 2.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

40W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

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105nC @ 10V

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