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IRLC8259EB

IRLC8259EB

僅供參考

型號 IRLC8259EB
PNEDA編號 IRLC8259EB
描述 MOSFET N-CH WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLC8259EB資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLC8259EB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRLC8259EB規格

制造商Infineon Technologies
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 370µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1020pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

79nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5090pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

210W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5680pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 23µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

154mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7020pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

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