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IRLD014

IRLD014

僅供參考

型號 IRLD014
PNEDA編號 IRLD014
描述 MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,662
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLD014資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLD014
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLD014, IRLD014數據表 (總頁數: 8, 大小: 1,729.57 KB)
PDFIRLD014數據表 封面
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IRLD014規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs200mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.4nC @ 5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.3W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱4-DIP (0.300", 7.62mm)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

334pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

33V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1450pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta), 79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

195A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.75mOhm @ 195A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

380W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36.5mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

595pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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