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IRLD024PBF

IRLD024PBF

僅供參考

型號 IRLD024PBF
PNEDA編號 IRLD024PBF
描述 MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 105,396
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 7 - 一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLD024PBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLD024PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IRLD024PBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds870pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.3W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱4-DIP (0.300", 7.62mm)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

169A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5805pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tj)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50Ohm @ 20mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

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8.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

430mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

710pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

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