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IRLHS6276TR2PBF

IRLHS6276TR2PBF

僅供參考

型號 IRLHS6276TR2PBF
PNEDA編號 IRLHS6276TR2PBF
描述 MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,086
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 18 - 三月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLHS6276TR2PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLHS6276TR2PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRLHS6276TR2PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.1V @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.1nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds310pF @ 10V
功率-最大1.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-PowerVDFN
供應商設備包裝6-PQFN Dual (2x2)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1235pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A, 30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1680pF @ 13V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 10V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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