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IRLI2910

IRLI2910

僅供參考

型號 IRLI2910
PNEDA編號 IRLI2910
描述 MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,426
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLI2910資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLI2910
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLI2910, IRLI2910數據表 (總頁數: 9, 大小: 148.99 KB)
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IRLI2910規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)31A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs26mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs140nC @ 5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)63W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB Full-Pak
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 94W (Tc)

工作溫度

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20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

128W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

189nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8 V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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540mW (Ta)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.3mOhm @ 19.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

32W (Tc)

工作溫度

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