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IRLI520GPBF

IRLI520GPBF

僅供參考

型號 IRLI520GPBF
PNEDA編號 IRLI520GPBF
描述 MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,124
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLI520GPBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLI520GPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLI520GPBF, IRLI520GPBF數據表 (總頁數: 8, 大小: 972.9 KB)
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IRLI520GPBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.2A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs270mOhm @ 4.3A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds490pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)37W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

965pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 70µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5530pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.56W (Ta)

工作溫度

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.8A (Ta), 20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1655pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 35.7W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3610pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

320W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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