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IRLI540N

IRLI540N

僅供參考

型號 IRLI540N
PNEDA編號 IRLI540N
描述 MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,966
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLI540N資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLI540N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLI540N, IRLI540N數據表 (總頁數: 9, 大小: 127.92 KB)
PDFIRLI540N數據表 封面
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IRLI540N規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)23A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs44mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs74nC @ 5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)54W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB Full-Pak
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

76A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

460W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1890pF @ 10V

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功耗(最大值)

30W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

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