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IRLIZ34N

IRLIZ34N

僅供參考

型號 IRLIZ34N
PNEDA編號 IRLIZ34N
描述 MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,766
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 9 - 一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLIZ34N資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLIZ34N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLIZ34N, IRLIZ34N數據表 (總頁數: 9, 大小: 110.38 KB)
PDFIRLIZ34N數據表 封面
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IRLIZ34N規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds880pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)37W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB Full-Pak
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

448pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.36Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.56W (Ta), 30W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 65µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

115W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta)

工作溫度

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FET功能

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功耗(最大值)

32W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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