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IRLL014NPBF

IRLL014NPBF

僅供參考

型號 IRLL014NPBF
PNEDA編號 IRLL014NPBF
描述 MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,532
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLL014NPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLL014NPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRLL014NPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs140mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 10V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds230pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1340pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.2W (Ta), 60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

71nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2425pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 69.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 730µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

73nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1620pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

151W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

79nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6200pF @ 25V

FET功能

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234W (Tc)

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功耗(最大值)

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