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IRLML5103TRPBF

IRLML5103TRPBF

僅供參考

型號 IRLML5103TRPBF
PNEDA編號 IRLML5103TRPBF
描述 MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 59,328
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLML5103TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLML5103TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRLML5103TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)760mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.1nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds75pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)540mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Micro3™/SOT-23
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.4A (Ta), 47.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2706pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.66W (Ta), 33.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.72nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

34pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

560mW (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

680mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

87pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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