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IRLML9303TRPBF

IRLML9303TRPBF

僅供參考

型號 IRLML9303TRPBF
PNEDA編號 IRLML9303TRPBF
描述 MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 87,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLML9303TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLML9303TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRLML9303TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs165mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds160pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.25W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Micro3™/SOT-23
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2090pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta), 62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17.5A (Ta), 140A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

126nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7180pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta), 500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 11.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 570µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2103pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

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