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IRLR210ATM

IRLR210ATM

僅供參考

型號 IRLR210ATM
PNEDA編號 IRLR210ATM
描述 MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,678
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLR210ATM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLR210ATM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLR210ATM, IRLR210ATM數據表 (總頁數: 7, 大小: 234.09 KB)
PDFIRLR210ATF數據表 封面
IRLR210ATF數據表 頁面 2 IRLR210ATF數據表 頁面 3 IRLR210ATF數據表 頁面 4 IRLR210ATF數據表 頁面 5 IRLR210ATF數據表 頁面 6 IRLR210ATF數據表 頁面 7

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IRLR210ATM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.5Ohm @ 1.35A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds240pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 21W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

53A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.5mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1696pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 107W (Tc)

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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CoolMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 170µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

373pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 10A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 4V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

78mOhm @ 500mA, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

228pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

810mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

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