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IRLR2705TRL

IRLR2705TRL

僅供參考

型號 IRLR2705TRL
PNEDA編號 IRLR2705TRL
描述 MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLR2705TRL資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLR2705TRL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLR2705TRL, IRLR2705TRL數據表 (總頁數: 11, 大小: 196.83 KB)
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IRLR2705TRL規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)28A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds880pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)68W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

315pF @ 15V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

2W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

190A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 180A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.35V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

250nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

568W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2870pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

460mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

64.3pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

450mW (Ta)

工作溫度

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