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IRLR3103TRRPBF

IRLR3103TRRPBF

僅供參考

型號 IRLR3103TRRPBF
PNEDA編號 IRLR3103TRRPBF
描述 MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,192
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLR3103TRRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLR3103TRRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRLR3103TRRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)55A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs19mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs50nC @ 4.5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)107W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

139mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2880pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.7A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 11.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3250pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

890mW (Ta), 55.5W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

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78nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

400W (Tc)

工作溫度

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