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IRLR3110ZTRRPBF

IRLR3110ZTRRPBF

僅供參考

型號 IRLR3110ZTRRPBF
PNEDA編號 IRLR3110ZTRRPBF
描述 MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLR3110ZTRRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLR3110ZTRRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRLR3110ZTRRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)42A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs48nC @ 4.5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3980pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)140W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.1mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

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安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.75mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1440pF @ 50V

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170A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7500pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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