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IRLR3715ZCTRLP

IRLR3715ZCTRLP

僅供參考

型號 IRLR3715ZCTRLP
PNEDA編號 IRLR3715ZCTRLP
描述 MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,442
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLR3715ZCTRLP資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLR3715ZCTRLP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLR3715ZCTRLP, IRLR3715ZCTRLP數據表 (總頁數: 12, 大小: 297.15 KB)
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IRLR3715ZCTRLP規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)49A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.55V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds810pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)40W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

84mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 190µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

761pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

24W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

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580mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 580mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 3.5µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.38nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

89.9pF @ 15V

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