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IRLR7833TR

IRLR7833TR

僅供參考

型號 IRLR7833TR
PNEDA編號 IRLR7833TR
描述 MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,298
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLR7833TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLR7833TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLR7833TR, IRLR7833TR數據表 (總頁數: 12, 大小: 190.72 KB)
PDFIRLR7833TRR數據表 封面
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IRLR7833TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)140A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs50nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4010pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)140W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

875pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3750pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 105W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

82A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 30A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4670pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

36W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2845pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

-

功耗(最大值)

4.2W (Tc)

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