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IRLR9343PBF

IRLR9343PBF

僅供參考

型號 IRLR9343PBF
PNEDA編號 IRLR9343PBF
描述 MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,714
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLR9343PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLR9343PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRLR9343PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs47nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds660pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)79W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

880mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.25W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.56W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 22µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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-

功耗(最大值)

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