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IRLSL3036PBF

IRLSL3036PBF

僅供參考

型號 IRLSL3036PBF
PNEDA編號 IRLSL3036PBF
描述 MOSFET N-CH 60V 195A TO262
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,542
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLSL3036PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLSL3036PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRLSL3036PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)195A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.4mOhm @ 165A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs140nC @ 4.5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11210pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)380W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-262
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 300V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7820pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta), 333W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 20.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

69nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3300pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

工作溫度

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300mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Tc)

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