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IRLU014N

IRLU014N

僅供參考

型號 IRLU014N
PNEDA編號 IRLU014N
描述 MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLU014N資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLU014N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLU014N, IRLU014N數據表 (總頁數: 11, 大小: 116.16 KB)
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IRLU014N規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs140mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.9nC @ 5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds265pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)28W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D²PAK (TO-263AB)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

GP2M005A060CG

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制造商

Global Power Technologies Group

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1Ohm @ 2.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

658pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

98.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-Pak

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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制造商

Vishay Siliconix

系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

78mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31.1nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

965pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

330mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta), 57W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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