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IRLU8259PBF

IRLU8259PBF

僅供參考

型號 IRLU8259PBF
PNEDA編號 IRLU8259PBF
描述 MOSFET N-CH 25V 57A IPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,646
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLU8259PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLU8259PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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  • Infineon Technologies Distributor
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IRLU8259PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)57A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.7mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds900pF @ 13V
FET功能-
功耗(最大值)48W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 1.14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 9.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.35W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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5.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

81mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1370pF @ 6V

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FET功能

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功耗(最大值)

2.5W (Ta), 120W (Tc)

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