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IRLZ34PBF

IRLZ34PBF

僅供參考

型號 IRLZ34PBF
PNEDA編號 IRLZ34PBF
描述 MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 24,054
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLZ34PBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLZ34PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLZ34PBF, IRLZ34PBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,608.42 KB)
PDFIRLZ34數據表 封面
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IRLZ34PBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)88W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

64A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

49mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

105nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

400W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.7mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 6V

Vgs(最大)

-6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

913pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.16W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

130A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

158nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

148mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1865pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

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±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

306W (Tc)

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