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IS25CD010-JDLE-TR

IS25CD010-JDLE-TR

僅供參考

型號 IS25CD010-JDLE-TR
PNEDA編號 IS25CD010-JDLE-TR
描述 IC FLASH 1M SPI 100MHZ 8TSSOP
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS25CD010-JDLE-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS25CD010-JDLE-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS25CD010-JDLE-TR, IS25CD010-JDLE-TR數據表 (總頁數: 40, 大小: 906.76 KB)
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IS25CD010-JDLE-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QUADP

內存大小

72Mb (4M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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25ns

電壓-供電

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工作溫度

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