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IS25LD020-JDLE-TR

IS25LD020-JDLE-TR

僅供參考

型號 IS25LD020-JDLE-TR
PNEDA編號 IS25LD020-JDLE-TR
描述 IC FLASH 2M SPI 100MHZ 8TSSOP
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,560
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS25LD020-JDLE-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS25LD020-JDLE-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS25LD020-JDLE-TR, IS25LD020-JDLE-TR數據表 (總頁數: 40, 大小: 906.76 KB)
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IS25LD020-JDLE-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小2Mb (256K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電2.3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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內存格式

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

60-TFBGA (13x8)

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

200ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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