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IS25LP128-JLLE-TR

IS25LP128-JLLE-TR

僅供參考

型號 IS25LP128-JLLE-TR
PNEDA編號 IS25LP128-JLLE-TR
描述 IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 1,811
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS25LP128-JLLE-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS25LP128-JLLE-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS25LP128-JLLE-TR, IS25LP128-JLLE-TR數據表 (總頁數: 96, 大小: 1,536.28 KB)
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IS25LP128-JLLE-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (16M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O, QPI
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁1ms
訪問時間-
電壓-供電2.3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-WSON (8x6)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

8µs, 4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - Mobile SDRAM

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

5.5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - Mobile LPDDR3

內存大小

16Gb (256M x 64)

內存接口

-

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.2V

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

18ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

3.8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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