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IS25LP512M-RHLE-TR

IS25LP512M-RHLE-TR

僅供參考

型號 IS25LP512M-RHLE-TR
PNEDA編號 IS25LP512M-RHLE-TR
描述 IC FLASH 512M SPI 24TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 3,870
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS25LP512M-RHLE-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS25LP512M-RHLE-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS25LP512M-RHLE-TR, IS25LP512M-RHLE-TR數據表 (總頁數: 185, 大小: 2,569.93 KB)
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IS25LP512M-RHLE-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O, QPI, DTR
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁1.6ms
訪問時間-
電壓-供電2.3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-TBGA
供應商設備包裝24-TFBGA (6x8)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

12ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Kb (256 x 8 x 2)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

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