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IS25LQ016B-JLLE

IS25LQ016B-JLLE

僅供參考

型號 IS25LQ016B-JLLE
PNEDA編號 IS25LQ016B-JLLE
描述 IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 3,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS25LQ016B-JLLE資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS25LQ016B-JLLE
類別半導體內存IC內存
數據表
IS25LQ016B-JLLE, IS25LQ016B-JLLE數據表 (總頁數: 74, 大小: 1,290.12 KB)
PDFIS25LQ080B-JNLE-TR數據表 封面
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IS25LQ016B-JLLE規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小16Mb (2M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁1ms
訪問時間-
電壓-供電2.3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-WSON (8x6)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存格式

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技術

SDRAM - DDR3L

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FRAM

技術

FRAM (Ferroelectric RAM)

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH, RAM

技術

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

內存大小

1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Die

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