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IS25LQ512A-JNLE

IS25LQ512A-JNLE

僅供參考

型號 IS25LQ512A-JNLE
PNEDA編號 IS25LQ512A-JNLE
描述 IC FLASH 512K SPI 80MHZ 8SOIC
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 6,300
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS25LQ512A-JNLE資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS25LQ512A-JNLE
類別半導體內存IC內存

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IS25LQ512A-JNLE規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Kb (64K x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率80MHz
寫周期-字,頁400µs
訪問時間-
電壓-供電2.3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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48-TFBGA

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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工作溫度

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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