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IS25LQ512B-JKLE

IS25LQ512B-JKLE

僅供參考

型號 IS25LQ512B-JKLE
PNEDA編號 IS25LQ512B-JKLE
描述 IC FLASH 512K SPI 104MHZ 8WSON
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS25LQ512B-JKLE資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS25LQ512B-JKLE
類別半導體內存IC內存
數據表
IS25LQ512B-JKLE, IS25LQ512B-JKLE數據表 (總頁數: 69, 大小: 1,321.19 KB)
PDFIS25LQ020B-JDLE-TR數據表 封面
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IS25LQ512B-JKLE規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Kb (64K x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁800µs
訪問時間-
電壓-供電2.3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-WSON (6x5)

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內存格式

FLASH

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FLASH

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QUADP

內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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