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IS25WD040-JBLE

IS25WD040-JBLE

僅供參考

型號 IS25WD040-JBLE
PNEDA編號 IS25WD040-JBLE
描述 IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8SOIC
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 6,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS25WD040-JBLE資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS25WD040-JBLE
類別半導體內存IC內存
數據表
IS25WD040-JBLE, IS25WD040-JBLE數據表 (總頁數: 34, 大小: 1,009.06 KB)
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IS25WD040-JBLE規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小4Mb (512K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率80MHz
寫周期-字,頁3ms
訪問時間-
電壓-供電1.65V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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內存類型

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內存格式

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內存大小

4Gb (128M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.3V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-TSSOP

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EPROM - UV

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.75V ~ 5.25V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

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內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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