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IS26KL512S-DABLA300TR

IS26KL512S-DABLA300TR

僅供參考

型號 IS26KL512S-DABLA300TR
PNEDA編號 IS26KL512S-DABLA300TR
描述 IC FLASH 512M PARALLEL 100MHZ
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,534
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS26KL512S-DABLA300TR資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS26KL512S-DABLA300TR
類別半導體內存IC內存

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IS26KL512S-DABLA300TR規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間96ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-VBGA
供應商設備包裝24-FBGA (6x8)

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技術

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

24-T-PBGA (6x8)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

25MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

450ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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