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IS29GL512S-11TFV023

IS29GL512S-11TFV023

僅供參考

型號 IS29GL512S-11TFV023
PNEDA編號 IS29GL512S-11TFV023
描述 IC FLASH 512M PARALLEL
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,708
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS29GL512S-11TFV023資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS29GL512S-11TFV023
類別半導體內存IC內存

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IS29GL512S-11TFV023規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-S
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間110ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝56-TSOP

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內存接口

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時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

3.5µs

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-DIP

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Alliance Memory, Inc.

制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP2

CY7C1515KV18-250BZC

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

BR93L56RF-WE2

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (128 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存大小

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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