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IS41LV16100B-60TLI

IS41LV16100B-60TLI

僅供參考

型號 IS41LV16100B-60TLI
PNEDA編號 IS41LV16100B-60TLI
描述 IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,256
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS41LV16100B-60TLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS41LV16100B-60TLI
類別半導體內存IC內存
數據表
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IS41LV16100B-60TLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術DRAM - EDO
內存大小16Mb (1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間30ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存接口

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

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訪問時間

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安裝類型

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (4K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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25ns

電壓-供電

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