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IS42RM32400G-6BLI-TR

IS42RM32400G-6BLI-TR

僅供參考

型號 IS42RM32400G-6BLI-TR
PNEDA編號 IS42RM32400G-6BLI-TR
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42RM32400G-6BLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42RM32400G-6BLI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42RM32400G-6BLI-TR, IS42RM32400G-6BLI-TR數據表 (總頁數: 33, 大小: 539.67 KB)
PDFIS42VM32400G-6BL-TR數據表 封面
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IS42RM32400G-6BLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile
內存大小128Mb (4M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.5ns
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-TFBGA (8x13)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel, SPI

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

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工作溫度

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