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IS42RM32400H-6BLI

IS42RM32400H-6BLI

僅供參考

型號 IS42RM32400H-6BLI
PNEDA編號 IS42RM32400H-6BLI
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,524
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42RM32400H-6BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42RM32400H-6BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42RM32400H-6BLI, IS42RM32400H-6BLI數據表 (總頁數: 34, 大小: 904.09 KB)
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IS42RM32400H-6BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile
內存大小128Mb (4M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.5ns
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-TFBGA (8x13)

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內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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