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IS42RM32800K-6BLI

IS42RM32800K-6BLI

僅供參考

型號 IS42RM32800K-6BLI
PNEDA編號 IS42RM32800K-6BLI
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 6,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42RM32800K-6BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42RM32800K-6BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42RM32800K-6BLI, IS42RM32800K-6BLI數據表 (總頁數: 35, 大小: 913.8 KB)
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IS42RM32800K-6BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile
內存大小256Mb (8M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.5ns
電壓-供電2.3V ~ 3V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-TFBGA (8x13)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

4ns

電壓-供電

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

256-FBGA (17x17)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

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