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IS42S16100C1-7BL

IS42S16100C1-7BL

僅供參考

型號 IS42S16100C1-7BL
PNEDA編號 IS42S16100C1-7BL
描述 IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,724
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S16100C1-7BL資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S16100C1-7BL
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S16100C1-7BL, IS42S16100C1-7BL數據表 (總頁數: 81, 大小: 977.62 KB)
PDFIS42S16100C1-7TLI-TR數據表 封面
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IS42S16100C1-7BL規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小16Mb (1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率143MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.5ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-TFBGA (6.4x10.1)

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時鐘頻率

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

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0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - DDR2

內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

60-TFBGA

供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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訪問時間

20ns

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工作溫度

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安裝類型

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